Micron DRAM 1γ, Las memorias DDR5 pronto tendrán más capacidad y velocidad 6e6526

Micron envía el primer nodo DRAM 1γ en la industria de las memorias RAM. Se vienen memorias DDR5 de mayor capacidad. 5d45m

Micron DRAM 1γ, Los módulos DDR5 tendrán más capacidad 3h4y8

Las memorias del tipo DDR5, las más actuales en el mundo del PC, se prepara una nueva evolución. No solo tenemos memorias DDR5 cada vez más rápidas, pronto también tendremos memorias con una mayor capacidad.

Esta sería la sexta generación de DRAM de clase de 10 nm, con el que van a ser capaces de aumentar las capacidades de memoria RAM, además de unas mejores en el rendimiento y en la eficiencia.

Una mejora en el nodo de proceso significa una mayor densidad de bits en el mismo tamaño, por lo que se pueden almacenar más datos. Se está hablando de una mejora en la densidad de bits del 30% en comparación con el anterior nodo de proceso.

Micron propone memorias con unas velocidades de hasta 9200 MT/s, superando a los 8000 MT/s que podían lograr con la generación anterior. Además, es un 20% más eficiente que el nodo anterior, por lo que son todo ganancias para esta nueva generación de chips DRAM de Micron.

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“Micron Technology, Inc., anunció hoy que es la primera en la industria en enviar muestras de su memoria DDR5 basada en nodos DRAM 1γ (1-gamma) de sexta generación (clase de 10 nm) diseñada para U de próxima generación a socios del ecosistema y clientes selectos. Este hito de la DRAM 1γ se basa en el liderazgo previo de Micron en nodos DRAM 1α (1-alpha) y 1β (1-beta) para ofrecer innovaciones que impulsarán las futuras plataformas informáticas, desde la nube hasta las aplicaciones industriales y de consumo y los dispositivos de inteligencia artificial de borde, como las PC con inteligencia artificial, los teléfonos inteligentes y los automóviles.”

El nuevo nodo 1γ está utilizando la tecnología EUV en chips de 16 Gb. Las mejoras descritas anteriormente serán decisivas, no solo para el mercado de PC, también para el segmento de la IA en centro de datos y en el borde.

Esto estará afectando a las memorias DDR5 tradicional, los SO-DIMM y LPDDR5X con velocidades de hasta 9600 MT/s. Os mantendremos informados.