Phison ha anunciado que sus controladores SSD ahora soportan chips flash 3D NAND fabricados por Yangtze Memory Technologies Co., Ltd de China. Este último desarrollo abre la puerta para que los SSD con NAND de fabricación china penetren en el mercado del almacenamiento a nivel internacional. 563d6r
Yangtze Memory Technologies ha estado reclutando socios estratégicos para construir su propio ecosistema. Antes del último anuncio, el fabricante chino ya se había asociado con ADATA y Silicon Motion. La incorporación de Phison es clave, ya que Phison (al igual que Silicon Motion) se especializa en controladores de SSD, que es un componente crucial para cualquier SSD que se precie.
El fabricante chino ya había intentado ponerse a la par de otros fabricantes de NAND importantes del mercado en el pasado con poco éxito. Sin embargo, la fuerte determinación de la compañía llevó finalmente al fabricante de NAND a pasar de 64 a 128 capas, saltándose por completo la fase de 96 capas.
Según DigiTimes, la cartera completa de Phison ha sido validada para soportar los chips 3D NAND de 64 y 128 capas de Yangtze, basados en la tecnología Xtacking 2.0.
Sin embargo, el almacenamiento para el consumidor es sólo un paso más. Phison espera que su asociación con Yangtze se extienda eventualmente al almacenamiento de alta gama, como los productos industriales integrados y empresariales.
Visita nuestra guía sobre los mejores SSD del mercado
Tener a ADATA del lado de Yangtze debería ser beneficioso para el fabricante de chips. ADATA, como muchos otros vendedores de SSD, no fabrica sus propios chips NAND y depende de terceros, como Micron, Kioxia, Intel, etc.
Las ofertas de Yangtze parecen competitivas sobre el papel, y con los precios e incentivos correctos, podemos esperar que otros fabricantes de SSD eventualmente suban al tren, ofreciendo unidades más baratas de fabricar. Os mantendremos informados.
AMD ha confirmado oficialmente las especificaciones de su nuevo buque insignia para estaciones de trabajo:…
Micron Technology ha anunciado un avance significativo en la tecnología de memoria con el envío…
